[发明专利]曝光方法及组件制造方法有效
| 申请号： | 200580015657.4 | 申请日： | 2005-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN1954407A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | 藤原朋春;长坂博之 | 申请（专利权）人： | 尼康股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20;G03F7/38 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐乐慧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种曝光方法及组件制造方法。其中曝光方法能将液体维持在期望状态下进行良好地曝光基板。在构成通过液体加以曝光的基板的基材的上面具有以感光材料被覆的有效区域，为避免在有效区域外侧的基材表面与液体接触，在有效区域外侧的基材表面的至少一部分以既定材料被覆。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 方法 组件 制造 | ||
【主权项】：
1、一种曝光方法，通过液体将曝光用光照射于基板上，将该基板曝光，其特征在于：在构成该基板的基材表面，具有以感光材料被覆的有效区域；为避免该有效区域外侧的该基材表面与该液体接触，将该有效区域外侧的该基材表面的至少一部分以既定材料被覆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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