[发明专利]使用硬掩膜金属绝缘体金属电容器的形成有效
| 申请号： | 200580015358.0 | 申请日： | 2005-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN1954263A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | D·D·库尔鲍;E·E·叶舒恩;N·费尔舍费尔德;M·L·高奇;何忠祥;M·D·穆恩;V·拉马切恩兰;B·沃特豪斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;H01L21/8242;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造金属绝缘体金属(MIM)电容器的方法。在此方法中，在下导体层(100)上形成介质层(102，106)并且在介质层上形成上导体层(104，108)。然后，本发明在上导体层和介质层上形成蚀刻停止层(200)并且在蚀刻停止层上形成硬掩膜(202)(氧化硅硬掩膜，氮化硅硬掩膜等)。下一步，在硬掩膜上构图光致抗蚀剂(300)，其允许通过光致抗蚀剂蚀刻硬掩膜，蚀刻停止层，介质层和下导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 硬掩膜 金属 绝缘体 电容器 形成 | ||
【主权项】：
1.一种金属绝缘体金属电容器结构，包括：下导体层，其中所述下导体层包括至少一个下电容器极板和至少一个布线图形；至少一个电容器介质，在所述下电容器极板上；至少一个上电容器极板，在所述电容器介质上；以及硬掩膜，在所述上电容器极板上。
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