[发明专利]具源极连接场板的宽能带隙高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 200580015278.5 | 申请日： | 2005-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1954440A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | 吴益逢;P·帕里克;U·米史拉;M·摩尔 | 申请（专利权）人： | 美商克立股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈炜 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种包含形成于基板上的多个活性半导体层的高电子迁移率晶体管(HEMT)。源电极、漏电极及栅极以与多个活性层电接触的方式形成。分隔层形成于多个活性层的表面的至少一部分上并覆盖该栅极。场板形成于该分隔层上并电连接至该源电极，其中场板降低该HEMT中的峰值工作电场。 | ||
| 搜索关键词： | 具源极 连接 能带 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种高电子迁移率晶体管(HEMT)，包含：形成于基板上的多个活性半导体层；在所述多个活性层中的两个之间的异质界面处的二维电子气(2DEG)；以与所述2DEG接触的方式形成的源电极与漏电极；形成于所述源电极与漏电极之间且在所述多个活性层上的栅极；形成于所述栅极与所述漏电极之间的所述多个活性层的表面的至少一部分上的分隔层；形成于所述分隔层上的场板；以及将所述场板电连接至所述源电极的至少一条导电路径，所述至少一条导电路径覆盖小于所述栅极与所述源电极之间的所有最顶部表面的区域。
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