[发明专利]用于与另一晶片接合的半导体晶片表面的制备无效
| 申请号： | 200580015100.0 | 申请日： | 2005-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1954422A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | C·莫南图索特;C·马勒维尔;H·莫里索;A·苏比 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司;原子能源局 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及制备用于与另一晶片接合的晶片氧化表面的方法，该氧化表面已经进行了原子种类的注入，该方法包括通过使用NH4OH和H2O2清洗氧化表面的第一步骤，和使用氢氯酸种类(HCl)清洗的第二步骤，其中实施第一步骤以蚀刻从约10至约120，且其中在低于约50℃的所选温度下实施第二步骤达约10分钟或更少。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 另一 晶片 接合 半导体 表面 制备 | ||
【主权项】：
1.一种制备用于与另一晶片接合的晶片氧化表面的方法，该氧化表面已经进行了原子种类注入，该方法包括使用NH4OH和H2O2清洗氧化表面的第一步骤，和使用氢氯酸种类清洗的第二步骤，其中实施第一步骤以蚀刻从约10至约120，且其中在低于约50℃的所选温度下实施第二步骤达小于约10分钟的时间。
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