[发明专利]用于改善剥离薄层的质量的方法

摘要

本发明涉及一种形成包含从施主晶片(10)剥离的层(2)的结构(30)的方法，该施主晶片(10)在去除之前包含由不同材料制成的第一层(1)和第二层(2)。本发明的方法在于：(a)注入原子种类用于在第二层(2)下面形成脆弱区(4)，(b)将施主晶片(10)键合到接收晶片(20)，(c)提供能量用于在脆弱区(4)中从施主晶片分离剥离层(1，2)，以及(d)选择性地蚀刻在第二层(2)前面的第一层(1)的剩余部分。所述方法还涉及在低于约800℃的温度进行的键合增强阶段。以这样一种方式来控制在阶段(a)执行的注入的参数，使得在阶段(c)之后立即出现的粗糙度最小化。

主权项

1.一种形成包含从施主晶片剥离的层的结构的方法，该施主晶片在剥离之前包含选自半导体材料的第一材料的第一层、以及在第一层上选自半导体材料的第二材料的第二层，该方法包括下面的连续步骤：(a)注入原子种类以在第二层下面形成弱区(4)；(b)将该施主晶片键合到主晶片；(c)提供能量以在弱区处分开施主晶片的剥离层；(d)相对于第二层选择性地蚀刻第一层的剩余部分；其中在步骤(a)中调节注入参数，以最小化在执行步骤(c)之后立即出现的表面粗糙度，以及其中该方法还包括在低于约800℃(1,472)的温度进行的、能够增强键合的步骤。