[发明专利]长时间退火的集成电路装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200580013633.5 | 申请日： | 2005-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101040375A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | O·奥贝尔;W·哈塞;M·霍默尔;H·科纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明尤其涉及通过长时间退火可去除通路板或者通路盖层上的阻挡材料的方法。同时或作为替代，该长时间退火是一种使用阻挡材料(110)涂覆轨迹(106)的简单和直接的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 长时间 退火 集成电路 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路装置(500，500b，600)，包括导电的且依照晶粒结构构造的导电结构(506，550)，其特征在于导电阻挡材料设置在所述导电结构的晶界区域中，其在该导电结构(506)中设置至少5纳米或至少10纳米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
