[发明专利]热电子晶体管

摘要

热电子晶体管包括：发射极、基极和集电极，和置于发射极与基极之间并用于在二者之间进行电子传输的第一隧穿结构。第一隧穿结构至少包括：第一非晶绝缘层和与其不同的第二绝缘层，使得所述电子的传输包括利用隧穿的传输。所述晶体管进一步包括置于基极与集电极之间的第二隧穿结构。第二隧穿结构用于利用弹道传输将基极与集电极之间的前述的电子中的一部分的传输，使得所述部分的电子在集电极处被收集。还公开了用于在薄膜晶体管中的界面处减少电子反射的相应的方法。

主权项

1.一种热电子晶体管，适用于接收至少一种输入信号，该晶体管包括：发射极；基极，该基极与所述发射极隔开，使得至少一部分所述输入信号被应用到所述发射极和所述基极，而使电子从所述发射极朝向所述基极发射；第一隧穿结构，该第一隧穿结构被置于所述发射极与所述基极之间，并被设置用于所述发射极与所述基极之间的电子传输，所述第一隧穿结构至少包括第一非晶绝缘层和与其不同的第二绝缘层，所述第二绝缘层被设置为直接邻近所述第一非晶绝缘层，并被设置为与所述第一非晶绝缘层协作，使得所述电子传输至少部分地包括利用隧穿的传输；集电极，该集电极与所述基极隔开；和第二隧穿结构，该第二隧穿结构被置于所述基极与所述集电极之间，并被设置用于在所述基极与所述集电极之间传输从所述发射极通过弹道传输被发射的至少一部分电子，使得所述一部分电子在所述集电极可被收集。