[发明专利]图案转印法有效
| 申请号： | 200580013194.8 | 申请日： | 2005-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN1947225A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 生形寿男;宫川晶子 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 车文;代易宁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 图案转印法包括第一到第三步骤。第一步，把所需的图案转印到形成在基底上的树脂层上，在基底和树脂层之间设置释放层。第二步，在第一步之后执行，把已经转印到树脂层上的图案转印到基底上，并局部暴露释放层。第三步，在第二步后执行，溶解存在于基底和树脂层之间的释放层，并由此从基底上去除该释放层。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 转印法 | ||
【主权项】：
1.一种图案转印法，包括：第一步，把所需的图案转印到形成在基底上的树脂层上，在基底和树脂层之间设置释放层；第二步，在第一步之后执行，把已经转印到树脂层上的图案转印到基底上，并局部暴露释放层；和第三步，在第二步后执行，溶解存在于基底和树脂层之间的释放层，并由此从基底上去除该释放层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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