[发明专利]半导体器件和这种器件的制造方法有效
| 申请号： | 200580012979.3 | 申请日： | 2005-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN1947257A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 韦伯·D.·范诺尔特 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有半导体本体(1)的半导体器件(10)，所述半导体本体包括用电介质层(3)覆盖的高欧姆半导体衬底(2)，该电介质层含有电荷，在该电介质层上存在包括导体迹线(4)的一个或多个无源电子元件(4)，并在无源元件(4)的位置，在半导体衬底(2)和电介质层(3、4)之间的界面处存在半导体区(5)，通过半导体区(5)、并且在半导体区(5)的位置中断由电荷在半导体衬底(2)中感应的第一导电类型的导电沟道。根据本发明，半导体区(5)是单晶的，并且是与第一导电类型相反的第二导电类型。通过这种方式，感应沟道的电荷局部地被半导体区(5)的电荷补偿。器件(10)具有非常低的高频功率损失，因为反型沟道在半导体区(5)的位置被中断。器件(10)还允许更高的热预算，因此允许用于将有源半导体元件(8)集成到半导体本体(1)中。优选地，半导体区(5)包括大量条状子区(5A、5B、5C)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 这种 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有半导体本体(1)的半导体器件(10)，所述半导体本体包括用电介质层(3)覆盖的高欧姆半导体衬底(2)，该电介质层含有电荷，在该电介质层上存在一个或多个无源电子元件(4)，包括导体迹线(4)，并在所述无源元件(4)的位置处，在该半导体衬底(2)和该电介质层(3)之间的界面处存在半导体区(5)，其结果是由所述电荷感应的第一导电类型的导电沟道在所述半导体衬底(2)与所述电介质层(3)间的界面处、在所述半导体区(5)的位置处中断，该半导体器件(10)的特征在于：所述半导体区(5)是单晶的，并且是与该第一导电类型相反的第二导电类型。
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