[发明专利]制造接触孔的系统及方法无效

专利信息
申请号: 200580012792.3 申请日: 2005-03-07
公开(公告)号: CN1947063A 公开(公告)日: 2007-04-11
发明(设计)人: A·M·明维列;C·E·塔贝里;H-E·金;J·季 申请(专利权)人: 先进微装置公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 戈泊;程伟
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供一种在集成电路器件(10)的接触层(56)中形成多个接触孔(20、24)的方法,其中该多个接触孔(20、24)包含具有沿着第一方向以第一节距规则间置的多个接触孔(20)及具有沿着第二方向以第二节距间置的多个局部隔离的接触孔(24)。双偶极照射源(42、44)可以透过具有对应于所需的接触孔图案之图案的掩膜(48)而传送光线能量。该双偶极照射源(42、44)可以包含第一偶极光圈(60)及第二偶极光圈(62),该第一偶极光圈(60)被定向并被优化用于图案化该规则间置的接触孔(20),以及第二偶极光圈(62),该第二偶极光圈(62)被定向实质上正交于该第一偶极光圈(60)并被优化用于图案化该多个局部隔离的接触孔(24)。该接触层(56)可以使用该图案化的光刻胶层(58)而蚀刻。
搜索关键词: 制造 接触 系统 方法
【主权项】:
1.一种在集成电路器件(10)的接触层(56)中形成多个接触孔(20、24)的方法,其中该多个接触孔(20、24)包含具有沿着第一方向以第一节距规则间置的多个接触孔(20)及具有沿着第二方向以第二节距间置的多个局部隔离的接触孔(24),该方法包括:提供光刻胶层(58)于该接触层(56)的上方;曝露该光刻胶层(58)于双偶极照射源(42、44),该双偶极照射源(42、44)传送光线能量穿越具有对应于所需的接触孔图案的图案的掩膜(48),该曝光造成该所需的接触孔图案转移至该光刻胶层(58);其中该双偶极照射源(42、44)包含第一偶极光圈(60)及第二偶极光圈(62),该第一偶极光圈(60)被定向并被优化用于图案化该规则间置的接触孔(20),该第二偶极光圈(62)被定向实质上正交于该第一偶极光圈并被优化用于图案化该多个局部隔离的接触孔(24);以及使用该图案化的光刻胶层(58)蚀刻该接触层(56)。
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