[发明专利]半导体器件的双侧探测无效

专利信息
申请号: 200580010267.8 申请日: 2005-03-30
公开(公告)号: CN1961218A 公开(公告)日: 2007-05-09
发明(设计)人: 杰里米·霍普;艾德莱恩·R·欧佛奥尔;约翰·J·菲兹帕特里克 申请(专利权)人: 温特沃斯实验室公司
主分类号: G01R31/02 分类号: G01R31/02
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 美国康*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种探头,用于测试接受测试的半导体器件(10)的性能,包括:支撑至少一个接受测试的半导体器件(10)的介质膜(24),以及以拉紧的方式支撑所述介质膜(24)的支撑框架(26)。第一支架(40)放置用于电接触所述接受测试的半导体器件(10)的第一侧(16)的第一探针(28),第二支架(34)具有致动器以便在第一位置(P1)和第二位置(P2)之间移动第二探针(30),第二支架(34)放置第二探针(30),所述第二位置(P2)用于电接触所述接受测试的半导体器件的相对的第二侧(18)。
搜索关键词: 半导体器件 探测
【主权项】:
1、一种探头部件,用于测试接受测试的半导体器件(10)的性能,包括:支撑至少一个接受测试的半导体器件(10)的介质膜(24);以拉紧的方式支撑所述介质膜(24)的支撑框架(26);用于接触所述接受测试的半导体器件(10)的第一侧(16)的第一探针(28);以及可在第一位置(P1)和第二位置(P2)之间移动的第二探针(30),其中所述第二位置(P2)用于接触所述接受测试的半导体器件的相对的第二侧(18)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于温特沃斯实验室公司,未经温特沃斯实验室公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200580010267.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top