[发明专利]高纯度Ru粉末、烧结该高纯度Ru粉末得到的溅射靶以及用该靶溅射得到的薄膜和高纯度Ru粉末的制造方法有效
| 申请号： | 200580006772.5 | 申请日： | 2005-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN1926252A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 新藤裕一朗;久野晃 | 申请（专利权）人： | 日矿金属株式会社 |
| 主分类号： | C22C5/04 | 分类号： | C22C5/04;C23C14/34;C25C5/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;郭国清 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种高纯度Ru粉末，其特征在于，Na、K等各碱金属的含量均在10wtppm以下，Al的含量为1～50wtppm，以及该高纯度Ru粉末的制造方法，其特征在于，用纯度在3N(99.9％)以下的Ru原料作阳极，在溶液中电解精制。本发明提供用于制造溅射靶的高纯度Ru粉末、烧结该高纯度粉末得到的溅射靶以及用该靶溅射得到的薄膜和上述高纯度Ru粉末的制造方法，其中，高纯度Ru粉末在尽量减少有害物质的同时，成膜时颗粒的产生数少，膜厚分布均匀，而且具有4N(99.99％)以上的纯度，适合形成半导体存储器的电容器用电极材料。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 ru 粉末 烧结 得到 溅射 以及 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高纯度Ru粉末，其特征在于，Na、K等各碱金属元素的含量均在10wtppm以下，Al的含量为1～50wtppm。
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