[实用新型]一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟无效
| 申请号： | 200520146920.0 | 申请日： | 2005-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN2900559Y | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 万关良;王喆;徐继平;张果虎;王敬;刘斌 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟，它包括固定片，舟脚棒，上料棒，下料棒，所述的下料棒为三个，其中，位于中间的下料棒开槽，槽深度大于硅片进入下料棒槽中的深度，该硅片的下边缘不与下料棒槽的槽底相接触，位于两侧的支撑用下料棒的横断面的上部为平面，下部为弧型的料棒。本实用新型优点：由于下料棒开槽深度大于硅片进入下料棒槽中的深度，杜绝了下料棒开槽槽底加工难，避免了光洁度达不到要求而引起的崩边问题，提高产品质量及合格率，其不合格率下降了一点几个百分点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 多晶 生长 工艺 石英 | ||
【主权项】：
1、一种减少多晶硅生长工艺崩边的石英舟，它包括固定片，舟脚棒，上料棒，下料棒，其特征在于：所述的下料棒为三个，其中，位于中间的下料棒开槽，开槽深度大于硅片进入下料棒槽中的深度，该硅片的下边缘不与下料棒槽的槽底相接触，位于两侧的支撑用下料棒的横断面的上部为平面，下部为弧型的料棒。
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