[实用新型]一种从支撑表面清除处理残留物的清洁晶片无效
| 申请号： | 200520113698.4 | 申请日： | 2005-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN2838037Y | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | V·D·帕克赫 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B08B7/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种从支撑表面清除处理残留物的清洁晶片，所述支撑表面被用于在激励气体中的衬底处理。所述清洁晶片包括一个圆盘，其包括源自液态前体的聚酰亚胺层，通过把液态聚酰亚胺前体施加到该圆盘，所述聚酰亚胺层直接形成在该圆盘上。所述聚酰亚胺层具有小于约50微米的厚度，以及一个清洁表面，其形状与所述支撑表面的轮廓相匹配。从而使处理残留物粘附到所述清洁表面上，并且在从所述支撑表面移去所述清洁晶片时，所述处理残留物从所述支撑表面被清除。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 支撑 表面 清除 处理 残留物 清洁 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种从支撑表面清除处理残留物的清洁晶片，所述支撑表面被用于在激励气体中的衬底处理，其特征在于所述清洁晶片包括：一个圆盘，其包括源自液态前体的聚酰亚胺层，通过把液态聚酰亚胺前体施加到该圆盘，所述聚酰亚胺层直接形成在该圆盘上，所述聚酰亚胺层具有：(a)小于约50微米的厚度，和(b)一个清洁表面，其形状与所述支撑表面的轮廓相匹配，从而使处理残留物粘附到所述清洁表面上，并且在从所述支撑表面移去所述清洁晶片时，所述处理残留物从所述支撑表面被清除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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