[实用新型]高温压力传感器无效
| 申请号： | 200520093652.0 | 申请日： | 2005-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN2881579Y | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 唐慧;陈信琦;祝永峰;李长春 | 申请（专利权）人： | 沈阳仪表科学研究院 |
| 主分类号： | G01L9/02 | 分类号： | G01L9/02 |
| 代理公司： | 沈阳科威专利代理有限责任公司 | 代理人： | 崔红梅 |
| 地址： | 110043辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 高温压力传感器，包括SIMOX/SDB结构硅单晶片和封装结构，其特征是双面抛光的硅单晶片的正面加工形成P型电阻桥、以及与电阻桥相连的耐高温复合电极，在硅单晶片的背面与正面电桥相对应的区域加工出规定量程所要求厚度的硅敏感膜片；传感器基座内导压管大径端依次与双抛面玻璃、硅单晶片背面封接，各层面均为静电封接结构。这是一种OEM型压力传感器，易于大批量生产，一致性、重复性好。该传感器经过再次装配形成二次仪表，能够用于发动机、液压系统和高压腔体等装置上，监视和测量相关流体的压力。 | ||
| 搜索关键词： | 高温 压力传感器 | ||
【主权项】：
1、高温压力传感器，包括SIMOX/SDB结构硅单晶片和封装结构，其特征是双面抛光的硅单晶片的正面有P型电阻桥、以及与电阻桥相连的耐高温复合电极，在硅单晶片的背面与正面电桥相对应的区域有规定量程所要求厚度的硅敏感膜片；传感器基座内导压管大径端依次与双抛面玻璃、硅单晶片背面封接，各层面均为静电封接结构。
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