[实用新型]N型基体单晶硅太阳电池

摘要

本实用新型涉及一种N型基体单晶硅太阳电池采用N型硅单晶片为基体，制造太阳电池，其生产出的太阳电池效率和应用完全和用P型基体制成的太阳电池一样；本实用新型的太阳电池结构，从上面向下面各层依次是：上电极/氮化硅减反射膜/P⁺扩散层/N型单晶硅片/N⁺/背电极；其中：氮化硅减反射膜厚度约为0.75μm，P⁺扩散层的厚度约为0.2－0.25μm，薄层电阻约20Ω－cm，N⁺层厚度约为5－10μm，N型单晶硅片电阻率＞0.5Ω－cm。

主权项

1.一种N型基体单晶硅太阳电池，其特征在于，N型基体单晶硅太阳电池的结构，从上面向下面各层依次是：上电极/氮化硅减反射膜/P+扩散层/N型单晶硅片/N+/背电极；其中：氮化硅减反射膜厚度为0.75um，P+扩散层的厚度为0.2-0.25um，薄层电阻20Ω-cm，N+层厚度为5-10um，N型单晶硅片电阻率＞0.5Ω-cm。