[发明专利]半导体激光器装置无效
| 申请号： | 200510135124.1 | 申请日： | 2005-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1794524A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 西川佑司;大山昭宪;宫田龙介 | 申请（专利权）人： | 发那科株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/02;H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张敬强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光器装置，具备：安装基体；通过软钎料接合在安装基体的安装面上的半导体激光器；以及设置在接合在安装基体的安装面上的半导体激光器的接合面上、通过在该接合面上形成的元件分离槽相互分离的发射极及钝化台面型晶体管区域部，在半导体激光器的接合面上的钝化台面型晶体管区域部上，形成有分离该钝化台面型晶体管区域部的至少一个台面型晶体管分离槽。由此，得到半导体激光器和安装基体不剥离程度的软钎料的接合强度。半导体激光器的接合面与安装基体的安装面之间的软钎料包含有配置在元件分离槽及台面型晶体管分离槽内壁上的圆角部。填充因数最好为50％或以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器装置(10)，包含：安装基体(6)；通过软钎料(5)接合在上述安装基体(6)的安装面(6a)上的半导体激光器(1)；以及设置在接合在上述安装基体(6)的上述安装面(6a)上的上述半导体激光器(1)的接合面(1a)上、通过在该接合面(1a)上形成的元件分离槽(2)相互分离的发射极(3)及钝化台面型晶体管区域部(4)，其特征在于，在上述半导体激光器(1)的上述接合面(1a)上的上述钝化台面型晶体管区域部(4)上，形成有分离该钝化台面型晶体管区域部(4)的至少一个台面型晶体管分离槽。
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