[发明专利]制造场效应晶体管的方法以及由此制造的晶体管结构无效
| 申请号： | 200510132690.7 | 申请日： | 2005-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1988116A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 崔梁圭;李贤珍 | 申请（专利权）人： | 韩国科学技术院 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种制造包括由硅鳍和硅主体构成的沟道的场效应晶体管的方法以及通过该方法制造的场效应晶体管，其中该硅鳍的取向与该硅主体不同。该方法包括以下步骤：(a)在包括硅薄膜的基板上形成硬掩模图案；(b)使用该掩模图案作为掩模将硅薄膜各向异性地蚀刻到预定厚度，从而不仅形成其中要形成沟道的硅鳍和其中要形成源/漏区的硅图案，而且形成将硅鳍彼此连接以形成沟道的硅主体；(c)使用有源掩模对硅薄膜进行部分蚀刻，以使源/漏区和该器件彼此隔离；以及(d)在硅沟道周围生长栅极电介质膜，并在所得到的结构上依次淀积栅极材料和栅掩模，然后形成栅区。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 场效应 晶体管 方法 以及 由此 结构 | ||
【主权项】：
1、一种制造场效应晶体管的方法，该场效应晶体管具有由硅鳍和硅主体构成的沟道，该方法包括以下步骤：(a)在包括硅薄膜的基板上形成硬掩模图案；(b)使用所述硬掩模图案作为掩模将所述硅薄膜各向异性地蚀刻到预定厚度，以形成其中要形成沟道的硅鳍，形成其中要形成源/漏区的硅图案，而且形成将所述硅鳍彼此连接以形成所述沟道的硅主体；(c)使用有源掩模对所述硅薄膜进行部分蚀刻，以使所述源/漏区与所述器件彼此隔离；以及(d)在所述硅沟道周围生长栅极电介质膜，并在所得到的结构上依次淀积栅极材料和栅掩模，然后形成栅区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
