[发明专利]水平电场施加型薄膜晶体管基板及其制造方法有效
申请号: | 200510132210.7 | 申请日: | 2005-12-22 |
公开(公告)号: | CN1794076A | 公开(公告)日: | 2006-06-28 |
发明(设计)人: | 安炳喆 | 申请(专利权)人: | LG.菲利浦LCD株式会社 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/133;H01L29/786;G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国;祁建国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种LCD器件包括:基板上的栅线和与栅线相交以限定像素区域的数据线;包括源极和漏极的薄膜晶体管;平行于栅线的公共线;从公共线延伸的公共电极和从漏极延伸的像素电极,其中栅线和公共线具有至少双层导电层的第一导电层组,并且公共电极通过公共线的至少一层透明导电层的延伸形成;栅线、源极和漏极具有至少双层导电层的第二导电层组,并且像素电极通过漏极的至少一层透明导电层的延伸形成。 | ||
搜索关键词: | 水平 电场 施加 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种液晶显示器,包括:基板上的栅线;与栅线相交且其间具有栅绝缘膜的数据线,其中数据线和栅线限定像素区域;薄膜晶体管,其包括连接到栅线的栅极,连接到数据线的源极,与源极相对的漏极和限定源极和漏极之间沟道的半导体图案;位于基板上并基本上平行于栅线的公共线;从公共线延伸至像素区域中的公共电极;和从漏极延伸至像素区域中的像素电极,以与公共电极形成水平电场,其中栅线和公共线具有第一导电层组,所述第一导电层组具有至少双层导电层,并且公共电极通过公共线的至少一层透明导电层的延伸形成;以及数据线、源极和漏极具有第二导电层组,所述第二导电层组具有至少双层导电层,并且像素电极通过漏极的至少一层透明导电层的延伸形成。
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