[发明专利]纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料的制备方法

摘要

本发明涉及纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料的制备方法。该磁敏材料的通式为Fe_xGe_1－x，其中x为铁的金属颗粒所占的体积百分比，0.45＜x＜0.60，薄膜厚度在4～8纳米。先将高纯度的氩气通入真空室，然后将超高真空闸板阀的开启度降为20％。锗靶上加15瓦的射频功率，在铁靶上加以5～15瓦的直流功率，预溅射20分钟左右。基片以20转/分钟的速率均匀旋转。本发明制备的铁锗颗粒薄膜材料为纳米晶结构，霍尔电阻灵敏度在－250℃到+200℃的温度范围内达到125VA/T，并且具有小的热漂移、零磁场偏移。本发明的材料制备简单，成本低，因而在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。

主权项

1、一种纳米晶铁锗颗粒薄膜磁敏材料的制备方法，该材料的通式为FexGe1-x，其中x为铁的金属颗粒所占的体积百分比，0.45＜x＜0.60，薄膜厚度为4～8纳米，其特征在于它是经过下述步骤：1)采用通用的超高真空对靶磁控溅射镀膜机，先将高纯度的氩气通入真空室；2)降低超高真空闸板阀的开启度，锗靶上设定射频功率，铁靶设定直流功率，基片均匀旋转，进行预溅射；3)打开铁靶、锗靶和基片的挡板，铁靶直流溅射，锗靶射频溅射，两个靶向中心位置成倾角，共同对着位于中心上方的基片溅射成膜。