[发明专利]一种场发射阴极的制备方法有效
| 申请号： | 200510121025.8 | 申请日： | 2005-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1988100A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 董才士 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种场发射阴极的制备方法，该方法包括下列步骤：提供一基板，在该基板上沉积一金属层；在金属层表面形成多个凹槽；对金属层表面进行氧化处理，形成一金属氧化物层；去除多个凹槽底部的金属氧化物层；在凹槽底部设置一层金属盐溶液；在凹槽底部生长碳纳米管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 阴极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场发射阴极的制备方法，包括下列步骤：提供一基板，在该基板上沉积一金属层；在该金属层表面形成多个凹槽；对该金属层表面进行氧化处理，形成一金属氧化物层；去除该多个凹槽底部的金属氧化物层；在该凹槽底部设置一层金属盐溶液；在该凹槽底部生长碳纳米管。
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