[发明专利]半导体器件和制造所述半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200510118686.5 | 申请日： | 2005-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1790748A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 山口真弓;矶部敦生;斋藤晓 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是在一个工艺中以更少的处理步骤制造具有小尺寸LDD区域的TFT，并且独立制造出具有由每种电路而定的结构的TFT。依照本发明，栅电极是多层的，并且通过使得下层栅电极的栅极长度比上层栅电极的栅极长度长而形成帽形栅电极。此时，利用抗蚀剂凹口宽度使得仅上层栅电极被蚀刻以形成帽形栅电极。因此，也可在精细TFT中形成LDD区域；因此，可独立地制造出具有由每种电路而定的结构的TFT。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底上的半导体膜上形成栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成第一导电膜；在第一导电膜上形成第二导电膜；在第二导电膜上形成抗蚀剂；使用抗蚀剂作为掩模蚀刻第二导电膜以形成经蚀刻的第二导电膜；蚀刻第一导电膜以形成经蚀刻的第一导电膜；以及为抗蚀剂形成凹口并且使用形成有凹口的抗蚀剂作为掩模蚀刻所述经蚀刻的第二导电膜以形成进一步蚀刻的第二导电膜，其沿沟道长度方向的长度短于经蚀刻的第一导电膜的长度。
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