[发明专利]纳米/微米复合晶粒结构的CoSb3热电材料制备方法无效
| 申请号： | 200510117532.4 | 申请日： | 2005-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1786229A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 张久兴;张忻;路清梅;刘丹敏 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C22C1/04 | 分类号： | C22C1/04;B22F9/04;B22F3/14 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100022*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于热电材料的制造技术领域。现有微米晶粒的CoSb3材料热导率高，而纳米晶粒的CoSb3材料虽然具有很低的热导率，但同时电导率也出现大幅度下降，使其在300－800K温度范围内的ZT最大值只有0.057。一种纳米/微米复合晶粒结构的CoSb3热电材料制备方法，其特征在于：以80－100nm金属钴和20－40μm锑单质元素粉末为原料，按CoSb3化合物的化学式称重配料，在氩气保护下，粉末研磨混合，然后进行放电等离子烧结(SPS)原位反应合成，压力30－50MPa，升温速率120－150℃/min，温度450－550℃，保温时间3－5min，气氛为真空。所制备的热电材料具有纳米/微米复合晶粒结构，其中纳米晶粒尺度约为100nm，微米晶粒尺度为1－3μm，材料的相对致密度大于93.0％。该材料在700K取得最大ZT值0.34。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 微米 复合 晶粒 结构 cosb sub 热电 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种纳米/微米复合晶粒结构的CoSb3热电材料制备方法，其特征在于：以80-100nm金属钴和20-40μm锑单质元素粉末为原料，按CoSb3化合物的化学式称重配料，在氩气保护下，粉末研磨混合，然后进行放电等离子烧结(SPS)原位反应合成，压力30-50MPa，升温速率120-150℃/min，温度450-550℃，保温时间3-5min，气氛为真空。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学，未经北京工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510117532.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种石斛保健茶及其制备方法
- 下一篇：窗式空调器室外风扇打水曲面导流板结构
