[发明专利]用于存储器测试中感测放大器的时间可控制感测方案有效
申请号: | 200510115967.5 | 申请日: | 2005-11-11 |
公开(公告)号: | CN1794357A | 公开(公告)日: | 2006-06-28 |
发明(设计)人: | 戎博斗;刘士晖 | 申请(专利权)人: | 钰创科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C29/50 | 分类号: | G11C29/50 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙皓晨;贺华廉 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明所公开的测试方法源自一测试器的信号将存储器芯片或存储模块设定至一特定测试模式。此特定测试模式利用比特线感测放大器检测连接至比特线的漏电流缺陷。由一测试器发出一第一测试指令激活一字线。于一特定测试模式开启存储器比特线感测放大器的期间,测试器发出一自第一测试指令延迟的第二测试指令。延迟的第二测试指令允许比特线与字线交叉处的缺陷所导致的漏电流充电比特线的电容,并且被感测放大器所检测。 | ||
搜索关键词: | 用于 存储器 测试 中感测 放大器 时间 控制 方案 | ||
【主权项】:
1.一种检测比特线漏电流的方法,包括以下步骤:(a)激活(activating)一半导体存储器芯片中的一测试模式;(b)寻址一字线;(c)对该半导体存储器芯片发出(issuing)一第一测试指令(testcommand),由此开启该字线;(d)等待一预设时间量;(e)对该半导体存储器芯片发出一第二测试指令,由此开启数个比特线感测放大器;(f)于该预设时间量期间测量累积于数个比特在线的电荷;及(g)重复步骤(b)至(f)直到寻址所有的该字线。
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