[发明专利]光刻设备和生成掩模图案的方法以及该设备制造方法有效
| 申请号： | 200510109890.0 | 申请日： | 2005-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN1746769A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | J·J·M·巴塞曼斯;K·D·范德马斯特;K·Z·特鲁斯特 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F7/00;G06F17/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;王勇 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 通过用二维校正核心或两个一维校正核心旋绕器件特征将灰度级光学接近式校正器件特征添加到一掩模图案以便生成灰度级OPC特征。该结果图案可以用在具有适于生成三个或更多强度等级的可编程构图装置的投影光刻设备中。模拟由图案产生的空间图像、比较对希望的图案的模拟以及调整OPC特征的迭代过程，可以被用于生成投影的最佳图案。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 设备 生成 图案 方法 以及 制造 | ||
【主权项】：
1、一种生成掩模图案的方法，包括：(a)接收表示将被打印的一个或多个特征的器件图案；(b)生成包括来自相对于具有第二强度等级的背景的具有第一强度等级的器件图案的一个或多个特征以及具有第三强度等级的至少一个校正特征的掩模图案，该第三强度等级在第一和第二强度等级之间。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
