[发明专利]有机薄膜晶体管及使用其的有机场致发光显示装置有效
申请号: | 200510108400.5 | 申请日: | 2005-10-13 |
公开(公告)号: | CN1779990A | 公开(公告)日: | 2006-05-31 |
发明(设计)人: | 李宪贞;具在本 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭鸿禧;谭昌驰 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种有机薄膜晶体管(OTFT)和有机场致发光(EL)显示装置。该OTFT包括作为有机发射元件的像素电极(阳极电极)的漏电极,使得有机EL显示装置的制造工艺被简化。在一个实施例中,有机EL显示装置包括:i)基板,包括发射区域和非发射区域;ii)有机薄膜晶体管,其包括栅电极、源电极、漏电极和半导体层,并且位于非发射区域内,源电极和漏电极分别与栅电极的两侧部交迭;iii)有机光发射元件,包括下电极、有机层和上电极。在一个实施例中,OTFT的源电极和漏电极中的一个延伸到发射区域,半导体层具有暴露部分延伸的电极的开口,延伸的电极的暴露的部分充当有机光发射元件的下电极(像素电极或阳极电极)。 | ||
搜索关键词: | 有机 薄膜晶体管 使用 机场 发光 显示装置 | ||
【主权项】:
1、一种用于平板显示装置的薄膜晶体管,包括:基板;栅电极,形成在所述基板上;源电极,与所述栅电极的第一侧部交迭;漏电极,与所述栅电极的第二侧部交迭;栅极绝缘体,形成在所述源电极和所述栅电极之间以及所述漏电极和所述栅电极之间;半导体层,其与所述源电极和所述漏电极接触,具有暴露所述源电极和所述漏电极中的一个的一部分的开口,并且形成在所述基板之上,其中,所述暴露的电极由透明材料形成,另一个电极由具有比所述半导体层的功函数更高的功函数的材料形成。
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