[发明专利]带有掺杂多晶硅场发射阴极阵列结构的平板显示器及其制作工艺

摘要

本发明涉及到带有掺杂多晶硅场发射阴极阵列结构的平板显示器及其制作工艺，带有掺杂多晶硅场发射阴极阵列结构的平板显示器包括由阴极面板、阳极面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔；在阳极面板上光刻出的阳极导电条以及制作在阳极导电条上面的荧光粉层；支撑墙以及消气剂附属元件，在阴极面板上制作有掺杂多晶硅场致发射阴极阵列结构，能够有效地减小碳纳米管阴极和栅极之间的距离，降低控制栅极的工作电压，减小控制栅极的电流。有利于进一步提高平板显示器件的显示分辨率，简化器件的制作工艺，降低器件的制作成本，具有制作过程稳定可靠、制作工艺简单、制作成本低廉、结构简单的优点。

主权项

1、一种掺杂多晶硅场致发射阴极阵列结构的平板显示器，包括由阴极面板[1]、阳极面板[9]和四周玻璃围框[15]所构成的密封真空腔；在阳极面板[9]上光刻出的阳极导电条[10]以及制作在阳极导电条[10]上面的荧光粉层[11]；支撑墙[13]以及消气剂附属元件[14]，其特征在于：在阴极面板[1]上制作有掺杂多晶硅场致发射阴极阵列结构。