[发明专利]磁性薄膜及其形成方法、磁性元件以及电感器和磁性元件的制造方法有效

专利信息
申请号: 200510104698.2 申请日: 2005-11-30
公开(公告)号: CN1801410A 公开(公告)日: 2006-07-12
发明(设计)人: 崔京九 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H01F10/08 分类号: H01F10/08;H01F10/30;H01F41/14;H01F17/00;G11B5/31
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 孙秀武;邹雪梅
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供具有高共振频率,高频特性优异的磁性薄膜以及高频特性优异的磁性元件以及电感器。在衬底2上设置平面线圈4以及磁性薄膜1,在连接用端子J1,J2之间形成电感器。相对于衬底2的表面,沿着倾斜方向使磁性薄膜1中的倾斜生长磁性层11晶体生长成柱状(倾斜生长磁性体12)。在该倾斜生长磁性层11中,为了使倾斜生长磁性体12软磁化,向倾斜生长磁性体12混入绝缘体13。使得倾斜生长磁性层11显示出面内晶体磁各向异性,同时提高该面内晶体磁各向异性,增加各向异性磁场。能够只通过倾斜生长磁性层11的晶体生长方向来改变各向异性磁场Hk,从而增加各向异性磁场Hk,提高磁性薄膜1的共振频率fr而不降低饱和磁化强度4πMs。
搜索关键词: 磁性 薄膜 及其 形成 方法 元件 以及 电感器 制造
【主权项】:
1、一种磁性薄膜,其特征在于:具有含有绝缘材料和通过混入该绝缘材料而软磁化的磁性材料,形成于衬底上,且相对于叠层面沿着倾斜方向晶体生长成柱状的倾斜生长磁性层。
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