[发明专利]电子发射装置及其制备方法无效
| 申请号： | 200510099621.0 | 申请日： | 2005-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1763885A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 郑光锡 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J29/04;H01J29/02;H01J31/12;H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子发射装置及其制备方法。该电子发射装置包括：相互朝向设置的第一基板和第二基板；形成在第一基板上的阴极；电连接到阴极的电子发射区域；形成在第一基板上并具有用于显露电子发射区域的开口的绝缘层；以及形成在绝缘层上的栅电极。电子发射区域包括形成在阴极上的至少一个多孔氧化铝模板，并且电子发射区域竖直生长于多孔氧化铝模板中。制备该电子发射装置的方法包括使用阳极氧化在阴极上形成多孔氧化铝模板，通过使用化学气相沉积而且注入载气和在第一基板和阴极之间施加电压来形成电子发射区域，在多孔氧化铝模板中生长电子发射材料。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 发射 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电子发射装置，包括：第一基板和第二基板，相互朝向设置；阴极，形成在所述第一基板上；电子发射区域，电连接到所述阴极；绝缘层，形成在所述第一基板上，所述绝缘层具有用于显露所述电子发射区域的开口；以及栅电极，形成在所述绝缘层上；其中，所述电子发射区域包括形成在所述阴极上的至少一个多孔氧化铝模板，并且其中，所述电子发射区域竖直生长于所述多孔氧化铝模板中。
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