[发明专利]场致发射装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200510099039.4 | 申请日： | 2005-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN1750222A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | 姜昊锡;崔濬熙;宋炳权;金河钟 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01J29/04 | 分类号： | H01J29/04;H01J29/02;H01J1/304;H01J31/12;H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种场致发射装置及其制造方法。所述场致电子发射装置包括衬底；形成于所述衬底的上表面具有阴极孔的阴极，所述阴极孔具有预定高度；在所述阴极的上表面形成的具有第一通孔的材料层，所述第一通孔的直径小于阴极孔的直径；形成于所述材料层的上表面的具有第一空腔的第一绝缘体；形成于第一绝缘体的上表面的具有第二通孔的栅极电极；以及在所述阴极孔的中央部分形成的发射器。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种场致发射装置，其包括：衬底；形成于所述衬底的上表面的带有阴极孔的阴极，所述阴极孔具有预定高度；在所述阴极的上表面形成的具有第一通孔的材料层，所述第一通孔的直径小于所述阴极孔的直径，在所述阴极孔的中央部分之上形成该第一通孔；在所述材料层的上表面形成的具有第一空腔的第一绝缘体，所述第一空腔连接至所述第一通孔；在所述第一绝缘体的上表面形成的具有第二通孔的栅极电极，所述第二通孔连接至所述第一空腔；以及在所述阴极孔的所述中央部分形成的发射器。
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