[发明专利]薄膜晶体管有效
| 申请号： | 200510098566.3 | 申请日： | 2005-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN1925171A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 施智仁;方俊雄;邓德华;吕佳谦 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/00 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王昕 |
| 地址： | 台湾省台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管，包括基底、栅绝缘层、双栅极结构以及第一、第二浅掺杂区。其中，基底包括分别设置于基底的相对两侧的源极区与漏极区、位于源极区及漏极区之间的重掺杂区、位于重掺杂区及源极区之间的第一通道区以及位于重掺杂区及漏极区之间的第二通道区。栅绝缘层覆盖基底，而双栅极结构包括分别设置于第一通道区以及第二通道区上方之栅绝缘层上的第一栅极以及第二栅极。另外，第一浅掺杂区设置于第二通道区及重掺杂区之间，而第二浅掺杂区设置于第二通道区与漏极区之间，且第二浅掺杂区之长度大于第一浅掺杂区之长度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征是包括：基底，包括：源极区以及漏极区，分别设置于该基底之相对两侧；重掺杂区，位于该源极区以及该漏极区之间；第一通道区，位于该重掺杂区以及该源极区之间；第二通道区，位于该重掺杂区以及该漏极区之间；栅绝缘层，覆盖该基底；双栅极结构，包括：第一栅极，设置于该第一通道区上方之该栅绝缘层上；第二栅极，设置于该第二通道区上方之该栅绝缘层上；第一浅掺杂区，设置于该第二通道区以及该重掺杂区之间；以及第二浅掺杂区，设置于该第二通道区与该漏极区之间，其中该第二浅掺杂区之长度大于该第一浅掺杂区之长度。
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