[发明专利]一种实现无损伤虚级联恢复的方法无效
| 申请号： | 200510098300.9 | 申请日： | 2005-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN1929476A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 周炼 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | H04L29/06 | 分类号： | H04L29/06 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王漪;王继长 |
| 地址： | 518057广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种实现无损伤虚级联恢复的方法，其包括下列步骤：将补偿RAM按照虚级联成员的最多个数划分成多个存储块，每个成员对应其中一个存储块；按照时隙编号的顺序将成员数据写入各自对应的存储块；根据成员的顺序和临时删除指示，通过内部交叉RAM生成补偿RAM的读地址高位；生成读出方向时序，在读出方向的净荷指示下，增加读地址低位，生成补偿RAM的读地址低位；用上述生成的补偿RAM的读地址从补偿RAM中读出数据。本发明方法通过用交叉RAM生成补偿RAM的高位地址，达到顺序重排的目的，使用临时删除指示控制交叉RAM的读写，在有成员发生临时删除同时其余成员有添加删除的情况下也不会丢失数据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 损伤 级联 恢复 方法 | ||
【主权项】：
1、一种实现无损伤虚级联恢复的方法，其包括下列步骤：A、将补偿RAM按照虚级联成员的最多个数划分成多个存储块，每个成员对应其中一个存储块，该成员的数据仅存放于所对应的存储块；B、按照时隙编号的顺序将成员数据写入各自对应的存储块；C、根据成员的顺序和临时删除指示，通过内部交叉RAM生成补偿RAM的读地址高位；D、生成读出方向时序，同一个虚级联组的所有成员的读出时序相同，并设立正负调整机会位置，在读出方向的净荷指示下，增加读地址低位，生成补偿RAM的读地址低位；E、用上述生成的补偿RAM的读地址从补偿RAM中读出数据。
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