[发明专利]一种由苯胺原位聚合包覆的导电晶须及其制备方法无效
| 申请号： | 200510095422.2 | 申请日： | 2005-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1786050A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 陆小华;史以俊;王昌松;冯新 | 申请（专利权）人： | 南京工业大学 |
| 主分类号： | C08G73/02 | 分类号： | C08G73/02;C08K7/02;H01B1/00 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 | 代理人： | 徐冬涛 |
| 地址： | 210009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种由苯胺原位聚合包覆的导电晶须。它是由质子酸掺杂的苯胺经原位聚合，包覆于晶须上所形成的一种亚微米级的导电晶须。其电导率约为10－2～1.0s/cm，该导电晶须的制备过程如下：按一定比例依次向晶须水相悬浮体系中加入苯胺、质子酸、氧化剂(其中苯胺、氧化剂与晶须的摩尔比＝1∶0.4～1.4∶1～10)，混合体系在机械搅拌、室温条件下连续聚合反应4～12小时。产品经过滤或离心脱水后，用去离子水清洗，直至洗液pH值达到6～8为止，喷雾干燥后制得。所得导电晶须为聚苯胺包覆的六钛酸钾晶须、八钛酸钾晶须或二氧化钛晶须，其平均直径为0.1～5μm，长径比为2～500。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 苯胺 原位 聚合 导电 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种由苯胺原位聚合包覆的导电晶须，其特征在于它是由质子酸掺杂的苯胺经原位聚合，包覆于晶须上所形成的一种亚微米级的导电晶须，其电导率为10-2～1.0s/cm。
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