[发明专利]静态随机存取记忆体的记忆胞的结构有效
| 申请号： | 200510093393.6 | 申请日： | 2005-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN1753102A | 公开（公告）日： | 2006-03-29 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/41 | 分类号： | G11C11/41;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种静态随机存取记忆体的记忆胞的结构，SRAM元件，其包括位于基板的深N井区中的SRAM记忆胞。SRAM记忆胞中的P井区占据少于约65％的SRAM记忆胞的面积。SRAM记忆胞区域的较长边对SRAM记忆胞较短边的比大于约1.8。SRAM记忆胞中的多个NMOS晶体管的主动区总面积占据少于约25％的SRAM记忆胞面积。SRAM记忆胞中的拉升晶体管通道宽度对SRAM记忆胞中的下拉晶体管通道宽度的比是大于约0.8。SRAM记忆胞进一步包括无硼的层间介电层、介电常数少于约3的金属层间介电层和厚度少于约20微米的聚亚酰胺层。本发明提供的记忆胞结构的系统减少、解决或避免发生在SRAM元件或其他记忆体元件中的软错误造成储存的数据受到毁损。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取 记忆体 记忆 结构 | ||
【主权项】：
1、一种半导体元件，其特征在于其包括：一基板；一SRAM元件在该基板中；一SRAM记忆胞在该SRAM元件中，其中该SRAM记忆胞包括：一记忆胞区域，其包括：沿着该记忆胞区域较长边排列的一第一记忆胞间距；以及该记忆胞区域较短边排列的一第二记忆胞间距，其中该第一记忆胞间距对该第二记忆胞间距的比值是大于约2；以及复数个金属层间介电层覆盖在该基板上，该些金属层间介电层中的至少一层的介电常数少于约3，且该些金属层间介电层含有金属导线于其中。
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