[发明专利]用等离子体处理提高硅基晶体薄膜发光的方法无效
| 申请号： | 200510090642.6 | 申请日： | 2005-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN1917237A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 王晓欣;张建国;王启明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 段成云 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及光电子薄膜材料及器件的制备与应用技术领域。特别是一种用等离子体处理提高硅基晶体薄膜发光的方法。第一步，按一定化学剂量比制备Er－Si－O溶胶；第二步，在经过常规处理的硅衬底上旋转涂覆一层Er－Si－O干凝胶薄膜；第三步，高温烧结达到总厚度的Er－Si－O干凝胶薄膜，原位生成Er－Si－O晶体薄膜；第四步，采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备产生的N等离子体处理硅基Er－Si－O晶体薄膜；第五步，二次退火等离子体处理过的Er－Si－O晶体薄膜，使N元素在薄膜里充分扩散，降低Er3+离子周围的晶体场对称性，提高光致发光强度。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 提高 晶体 薄膜 发光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用等离子体处理提高硅基晶体薄膜发光的方法，其步骤如下：第一步，按一定化学剂量比制备Er-Si-O溶胶；第二步，在经过常规处理的硅衬底上旋转涂覆一层Er-Si-O干凝胶薄膜；第三步，高温烧结达到总厚度的Er-Si-O干凝胶薄膜，原位生成Er-Si-O晶体薄膜；第四步，采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备产生的N等离子体处理硅基Er-Si-O晶体薄膜；第五步，二次退火等离子体处理过的Er-Si-O晶体薄膜，使N元素在薄膜里充分扩散，降低Er3+离子周围的晶体场对称性，提高光致发光强度。
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