[发明专利]磁阻效应元件、磁头、磁记录再生装置以及磁存储器有效
| 申请号： | 200510087903.9 | 申请日： | 2005-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN1741134A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | 福泽英明;汤浅裕美;岩崎仁志 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;H01L43/08;G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供磁阻效应元件，该磁阻效应元件具有实质上磁化方向固定的第1磁性层；磁化方向根据外部磁场变化的第2磁性层；设置在上述第1磁性层与上述第2磁性层之间的磁性隔离层；相对包含上述第1磁性层、磁性隔离层以及第2磁性层的叠层膜的膜面垂直通过电流的电极，其中，当外部磁场为0时，上述第1磁性层的磁化方向与上述第2磁性层的磁化方向大致正交。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 磁头 记录 再生 装置 以及 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种磁阻效应元件，具有：实质上磁化方向固定的第1磁性层；磁化方向根据外部磁场变化的第2磁性层；设置在上述第1磁性层与上述第2磁性层之间的磁性隔离层；相对包含上述第1磁性层、磁性隔离层以及第2磁性层的叠层膜的膜面垂直通过电流的电极，其中，当外部磁场为0时，上述第1磁性层的磁化方向与上述第2磁性层的磁化方向大致正交。
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