[发明专利]用以感测一存储单元的输出的方法及电路有效
| 申请号： | 200510087719.4 | 申请日： | 2005-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN1838313A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C7/00;H01L27/10 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用以感测一存储单元的输出的方法与电路，其中该存储单元可在一高电阻状态与一低电阻状态间进行转换。首先施加一预定电压至该存储单元以产生反映该存储单元的一电阻状态的一输出电流，并施加该预定电压至一至数个参考存储单元以产生反映该高电阻状态的一第一参考电流以及反映该低电阻状态的一第二参考电流。接着提供表示该输出电流与该第一参考电流的差距的一第一相差值，以及表示该输出电流与该第二参考电流的差距的一第二相差值。接着比较该第一相差值与该第二相差值以产生表示该存储单元的该电阻状态的一数字输出。本发明可增加读取MRAM时的感测边际，借着缩小制程的波动，可自行补偿位元线负载效应。 | ||
| 搜索关键词： | 用以 感测一 存储 单元 输出 方法 电路 | ||
【主权项】：
1、一种用以感测一存储单元的输出的方法，其中该存储单元可在一高电阻状态与一低电阻状态间进行转换，所述用以感测一存储单元的输出的方法包括：施加一预定电压至该存储单元以产生反映该存储单元的一电阻状态的一输出电流，并施加该预定电压至一至数个参考存储单元以产生反映该高电阻状态的一第一参考电流以及反映该低电阻状态的一第二参考电流；提供表示该输出电流与该第一参考电流的差距的一第一相差值，并提供表示该输出电流与该第二参考电流的差距的一第二相差值；以及比较该第一相差值与该第二相差值以产生表示该存储单元的该电阻状态的一数字输出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510087719.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
