[发明专利]一种微电力机械系统振动射流执行器的制备方法有效
| 申请号： | 200510086971.3 | 申请日： | 2005-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN1970432A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 欧毅;白宏磊;石莎莉;申功炘;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 段成云 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子器件制备技术领域，特别是一种MEMS振动射流执行器芯片的制备方法，方法包括：1.采用低压化学气相沉积的方法在硅衬底双面生长氮化硅膜；2.在硅基片正面光刻出上电极图形；3.蒸发铬/金薄膜；4.超声剥离；5.掩蔽刻蚀；6.在硅基片背面光刻腐蚀窗口图形；7.胶掩蔽刻蚀背面腐蚀窗口上的氮化硅；8.湿法腐蚀释放拍动片结构；9.在第二片硅片上满片蒸发铬/金薄膜；10.在第二片硅片的金膜表面涂光学光刻胶；11.将第一片硅片的背面与涂有光刻胶的第二片硅片粘合；12.划片成线列器件；13.分别在上下硅片的金膜上焊接电极引线。应用于小型无人飞行器上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电力机械 系统 振动 射流 执行 制备 方法 | ||
【主权项】：
1一种微电力机械系统振动射流执行器芯片的制备方法，其特征在于，包括13个工艺操作步骤：1、采用低压化学气相沉积的方法在硅衬底双面生长氮化硅膜；2、在第一片硅基片正面光刻出上电极图形；3、蒸发铬/金薄膜；4、超声剥离；5、掩蔽刻蚀；6、在第一片硅基片背面光刻腐蚀窗口图形；7、胶掩蔽刻蚀背面腐蚀背面氮化硅；8、湿法腐蚀释放拍动片结构；9、在第二片硅片上满片蒸发铬/金薄膜；10、在第二片硅片的金膜表面涂光学光刻胶；11、将第一片硅片的背面与涂有光刻胶的第二片硅片粘合；12、划片成线列器件；13、分别在上下硅片的金膜上焊接电极引线。
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