[发明专利]一种提高电子罗盘精度的磁电阻薄膜的制备方法

摘要

本发明提供了一种提高电子罗盘精度的磁电阻薄膜的制备方法，属于磁性多层膜的制备技术领域。制备工艺为：在清洗干净的玻璃基片或单晶硅基片上沉积(Ni_0.81Fe_0.19)₅₄Cr₃₆(50～200)/Ni_0.81Fe_0.19(100～1500)/Ta(50～100)；然后通过一般的半导体加工工艺将薄膜加工成线宽为2～50微米的磁电阻传感元件；再结合半导体加工工艺在元件两侧平行于条形元件沉积厚为3～10微米Ni_0.81Fe_0.19薄膜。薄膜制备过程是在磁控溅射仪中进行，溅射室本底真空度为1×10^－5～6×10^－5Pa，溅射时氩气压为0.4～0.7Pa；基片用循环水冷却，平行于基片方向加有150～250Oe的磁场，以诱发一个易磁化方向。优点在于：该发明具有制备方便、成本低、电子罗盘精度明显提高。

主权项

1、一种提高电子罗盘精度的磁电阻薄膜的制备方法，采用NiFeCr诱导层代替Ta诱导层，并且在靠近NiFe条形元件的两侧沉积几个微米厚NiFe薄膜；其特征在于：具体制备工艺为：a、在清洗干净的玻璃基片或单晶硅基片上沉积(Ni0.81Fe0.19)54Cr36(50～200)/Ni0.81Fe0.19(100～1500)/Ta(50～100)；然后通过一般的半导体加工工艺将薄膜加工成线宽为2～50微米的磁电阻条型传感元件；再结合半导体加工工艺在条形元件两侧平行于条形元件沉积厚为3～10微米Ni0.81Fe0.19薄膜；在沉积3～10微米Ni0.81Fe0.19薄膜时，有3～10个1000SiO2隔离层；b、薄膜制备过程是在磁控溅射仪中进行，溅射室本底真空度为1×10-5～6×10-5Pa，溅射时氩气压为0.4～0.7Pa，氩气纯度为99.99％；基片用循环水冷却，平行于基片方向加有150～250Oe的磁场，以诱发一个易磁化方向。