[发明专利]偏镓砷(100)衬底双模尺寸分布铟砷量子点及制作方法无效
| 申请号： | 200510086730.9 | 申请日： | 2005-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1956229A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 梁松;朱洪亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一种偏镓砷(100)衬底双模尺寸分布铟砷量子点，其特征在于，包括：一偏镓砷(100)衬底；一镓砷缓冲层，该镓砷缓冲层制作在偏镓砷(100)衬底上，在GaAs缓冲层表面上得到多原子台阶；一InAs量子点层，该InAs量子点层制作在镓砷缓冲层上，该层量子点层中的量子点成线状排列并具有双模尺寸分布；一镓砷盖层，该镓砷盖层制作在InAs量子点层上，得到InAs量子点材料。 | ||
| 搜索关键词： | 偏镓砷 100 衬底 双模 尺寸 分布 量子 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种偏镓砷(100)衬底双模尺寸分布铟砷量子点，其特征在于，包括：一偏镓砷(100)衬底；一镓砷缓冲层，该镓砷缓冲层制作在偏镓砷(100)衬底上，在GaAs缓冲层表面上得到多原子台阶；一InAs量子点层，该InAs量子点层制作在镓砷缓冲层上，该量子点层中的量子点成线状排列并具有双模尺寸分布；一镓砷盖层，该镓砷盖层制作在InAs量子点层上，得到InAs量子点材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510086730.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
