[发明专利]以水滑石为模板的金属硫化物半导体纳米复合材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200510086349.2 | 申请日： | 2005-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN1769182A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 段雪;王连英;武国庆 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C01G1/04 | 分类号： | C01G1/04;C04B41/45 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 100029北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种以水滑石为模板的金属硫化物半导体纳米复合材料及其制备方法，属于半导体复合材料技术领域。本发明以LDHs为模板，将金属配合物阴离子经离子交换取代NO3－或者Cl－进入水滑石层间，构成金属配合物阴离子占层间阴离子摩尔数总数40－100％的层状粉体材料，再向粉体中通入足量H2S气体，经气固相反应得到半导体纳米粒子插层水滑石。优点在于：把具有优异光电性能及催化性能的II－VI族半导体纳米粒子组装进入水滑石层间，实现II－VI族半导体纳米粒子在水滑石层间的高度分散；同时还可调变层板金属及有机配体制备得到半导体纳米粒子分散均匀、粒径可调的有机—无机半导体纳米复合材料。 | ||
| 搜索关键词： | 滑石 模板 金属 硫化物 半导体 纳米 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种以水滑石为模板的金属硫化物半导体纳米复合材料，其特征在于：层间阴离子为NO3-或者Cl-的水滑石前体，将金属配合物阴离子经离子交换取代NO3-或者Cl-进入水滑石层间，构成金属配合物阴离子占层间阴离子摩尔数总数40～100％的阴离子型超分子层状材料，再向其中通入足量H2S气体，经气固相反应得到有机配体柱撑、金属硫化物半导体纳米粒子高度分散于层间的水滑石复合材料，其中半导体纳米粒子在垂直于层板方向上的粒径小于水滑石的层间距。
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