[发明专利]电子发射器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510083634.9 | 申请日： | 2005-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN1728323A | 公开（公告）日： | 2006-02-01 |
| 发明（设计）人： | 金维钟 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01J29/02 | 分类号： | H01J29/02;H01J1/30;H01J9/02;H01J31/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种电子发射器件，其包括彼此相对的第一和第二基板，形成于第一基板上的阴极电极，和形成于阴极电极上的电子发射区。在所述阴极电极上形成栅极电极，在二者之间插入第一绝缘层。在第一绝缘层上和栅极电极上形成聚焦电极，在它们之间插入第二绝缘层。第一绝缘层、栅极电极、第二绝缘层和聚焦电极均具有暴露位于第一基板上的电子发射区的开口。其中，在与第一绝缘层相对的第二绝缘层的表面上一点处测得的开口尺寸小于栅极电极的开口尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 发射 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子发射器件，其包括：第一基板和第二基板，其彼此相对并间隔一距离；位于所述第一基板上地多个阴极电极；形成于所述阴极电极上地多个电子发射区；在所述阴极电极上形成的多个栅极电极，所述栅极电极和阴极电极之间具有第一绝缘层；形成于第一绝缘层和栅极电极上的第二绝缘层；以及形成于所述第二绝缘层上的聚焦电极，其中，所述第一绝缘层、栅极电极、第二绝缘层和聚焦电极均具有暴露位于第一基板上的电子发射区的开口，并且在与第一绝缘层相对的第二绝缘层的表面上一点处测得的开口尺寸小于在与第二绝缘层相对的第一绝缘层的表面上一点处测得的开口的尺寸。
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