[发明专利]具有改进的阵列稳定性的集成电路芯片有效
| 申请号： | 200510083278.0 | 申请日： | 2005-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN1755835A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 陈远洪;拉齐夫·V·约什;多纳德·W·普拉斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419;G11C7/00;H01L27/11 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一个可以被多电源供电的多阈值集成电路(IC)，具有如静态随机存取存储器(SRAM)单元阵列的锁存器阵列和一个CMOS SRAM，该CMOS SRAM具有提高的稳定性和减小的亚阈值泄漏。适配选择性的器件(NFET和/或PFET)以实现低的栅极和亚阈值泄漏，该选择性的器件位于阵列单元和电源逻辑，如在数据路径中，以及非临界逻辑中。正常的基准FET具有基准阈值，适配FET具有上述阈值。在多电源芯片中，具有适配FET的电路以增强的电源电压供电。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 阵列 稳定性 集成电路 芯片 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路(IC)芯片，包括：多个逻辑路径，所述多个逻辑路径中的的数个逻辑路径被标识为临界路径，位于所述临界路径中的逻辑电路属于具有规定的基准设计特性的器件；和所述多个逻辑路径中余下的逻辑路径中的逻辑电路由适配器件构成，所述适配器件较具有所述规定的基准设计特性的器件而言呈现较低的泄漏。
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