[发明专利]用晶片接合的方法来制造半导体－电介质－半导体器件结构

摘要

本发明为半导体电子学器件叠栅的形成提供一种方法，它利用晶片的接合，其中至少一种结构包含一层高－K电介质材料。本发明的方法包括首先选择有各自主表面的一第一和第二结构的步骤。按照本发明，第一结构和第二结构中至少有一个，或二个都包括至少一层高K电介质材料。接着，第一和第二结构的主表面被接合在一起以提供一个接合的结构，该结构至少包含叠栅的该高－K电介质材料。

主权项

1.形成用于半导体电子学器件的叠栅的方法，包含如下步骤：提供一第一结构和一第二结构，它们分别有一个主表面，所述第一和第二结构的至少一个包含至少一电介质材料，其介电常数大于二氧化硅的介电常数，所述电介质材料是叠栅的一个组成部分；把所述第一和第二结构的所述主表面接合在一起，以提供包含所述电介质材料的一个接合的结构；以及从所述接合的结构形成一叠栅，它至少包括所述电介质材料。