[发明专利]用于硅层结晶的可变掩膜器件及使用该器件的结晶方法有效
| 申请号： | 200510079644.5 | 申请日： | 2005-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1734335A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 俞载成 | 申请（专利权）人： | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/1368 | 分类号： | G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种可控制开口的宽度和长度的用于硅层结晶的可变掩膜器件，和一种使用所述可变掩膜器件对硅进行结晶的方法。所述可变掩膜器件具有框架，该框架带有开口，该开口的宽度由X方向调节器控制，而长度由Y方向调节器控制。提供其上形成多个液晶显示板的基板。激光束通过开口排列，并且利用该激光束照射形成在基板上的硅层，由此对该硅层进行结晶。该基板以扫描距离在X方向上移动，并且照射该基板，直到整个基板被全部结晶。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 结晶 可变 器件 使用 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可变掩膜器件，用于液晶显示板的硅层结晶，包括：限定了开口的框架，所述开口设置在所述硅层与激光束源之间；和调节器，用于控制开口的尺寸。
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