[发明专利]在拉伸应变绝缘体上SiGe上的应变SiMOSFET有效
| 申请号： | 200510079456.2 | 申请日： | 2005-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1716629A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 陈国仕;赵泽安;科恩·里姆;师利仁 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/02 | 分类号： | H01L29/02;H01L27/12;H01L21/3205;H01L21/20;H01L21/762;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用作形成高性能金属氧化物半导体场效应晶体管器件的模板的半导体结构，提供了一种包括绝缘体上SiGe衬底，该衬底包含位于绝缘层顶上的拉伸应变SiGe合金层；和在所述拉伸应变SiGe合金层顶上的应变Si层。还提供了一种形成所述拉伸应变SGOI衬底已经上述异质结构的相应方法。该方法通过提供直接在绝缘层顶上的拉伸应变SiGe合金层，消除了对应变Si层和下面层中Ge含量的偏好。 | ||
| 搜索关键词： | 拉伸 应变 绝缘体 sige simosfet | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包含：绝缘体上SiGe衬底，包含位于绝缘层顶上的拉伸应变SiGe合金层；和在所述拉伸应变SiGe合金层顶上的应变Si层。
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