[发明专利]有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法有效
| 申请号： | 200510076639.9 | 申请日： | 2005-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1716060A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 金保成;李宇宰;柳旻成 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L29/786;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;李友佳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，该方法包括：在衬底上形成栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成数据线和漏电极；在数据线、漏电极与在数据线和漏电极之间的栅极绝缘层的暴露部分上形成有机半导体层；形成完全覆盖有机半导体层的保护构件；在保护构件、数据线和漏电极上形成钝化层；在钝化层内形成接触孔以露出部分漏电极；以及在钝化层上形成象素电极，该象素电极经接触孔与漏电极连接。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 薄膜晶体管 阵列 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，所述方法包括：在衬底上形成栅极线；在所述栅极线上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成数据线和漏电极；在所述数据线、所述漏电极与在所述数据线和所述漏电极之间的所述栅极绝缘层的暴露部分上形成有机半导体层；形成完全覆盖所述有机半导体层的保护构件；在所述保护构件、所述数据线和所述漏电极上形成钝化层；在所述钝化层内形成接触孔以露出部分所述漏电极；以及在所述钝化层上形成象素电极，所述象素电极经所述接触孔与所述漏电极连接。
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