[发明专利]有机薄膜晶体管阵列面板及其制造方法无效
| 申请号： | 200510076638.4 | 申请日： | 2005-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1716059A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 柳旻成;崔泰荣;李容旭;李宇宰;金保成 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L29/786;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;李友佳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法包括：在衬底上形成栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成数据线和漏电极；在数据线、漏电极和栅极绝缘层的暴露部分上沉积有机半导体层；在有机半导体层上沉积保护层；在保护层上形成光阻剂，该光阻剂具有正性光敏性；用光阻剂作为蚀刻掩膜蚀刻保护层和有机半导体层；在保护层、数据线和漏电极上形成钝化层，该钝化层具有露出部分漏电极的接触孔；以及在钝化层上形成象素电极，该象素电极与漏电极经接触孔电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 薄膜晶体管 阵列 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，所述方法包括：在衬底上形成栅极线；在所述栅极线上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成数据线和漏电极；在所述数据线、所述漏电极和所述栅极绝缘层的暴露部分上沉积有机半导体层；在所述有机半导体层上沉积保护层；在所述保护层上形成光阻剂，所述光阻剂具有正性光敏性；用所述光阻剂作为蚀刻掩膜蚀刻所述保护层和所述有机半导体层；在所述保护层、所述数据线和所述漏电极上形成钝化层，所述钝化层具有露出部分所述漏电极的接触孔；以及在所述钝化层上形成象素电极，所述象素电极与所述漏电极经所述接触孔电连接。
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