[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200510075969.6 | 申请日： | 2005-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN1794418A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 崔在升 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 披露了一种半导体器件的制造方法，其中通过光刻工艺在与其他区相比具有相对少量的将形成在特定区中的图案的低密度图案区之上形成主要图案。根据所述方法，在形成有主要图案的有源区之上，以及与主要图案侧间隔一预定距离的邻近非有源区之上形成至少一个或更多哑图案。通过根据设计尺寸在低密度图案区的主要图案的侧部上形成不影响半导体器件的哑图案，使得低密度图案区具有与高密度图案区或中密度图案区相同的图案密度，因而本方法能够改进工艺余量并改善图案的临界区域的均匀性，从而提高半导体器件的产出。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体器件的制造方法，其中通过光刻工艺在低密度图案区之上形成主要图案，该低密度图案区与其它区相比具有相对少量的形成在特定区中的图案，特征在于：至少一个或更多哑图案形成在形成有所述主要图案的有源区以及与所述主要图案侧边间隔一预定距离的邻近非有源区之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
