[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，使用能以简化了的工序制造的高精度的光掩模，在晶片上形成所要的图形。在石英玻璃基板(1)的主面上，形成宽度相对较窄的沟图形(5a)和宽度比沟图形(5a)宽的沟图形(5b)，在宽度相对较宽的沟图形(5b)内，形成由例如抗蚀剂膜构成的遮光膜(6)。该掩模的具体的制造方法是：在石英玻璃基板(1)上涂敷了抗蚀剂膜之后，通过进行曝光和显影处理进行图形化。并以图形化了的抗蚀剂膜为掩膜，在石英玻璃基板(1)上形成沟图形(5a、5b)。接着，在除去图形化了的抗蚀剂膜之后，涂敷新的抗蚀剂膜。然后，通过进行图形化，仅在沟图形(5b)内形成遮光膜(6)。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括使用光掩模将预定的图形曝光到在半导体衬底上形成的感光膜上的步骤，其特征在于，上述光掩模包括：(a)在基板上形成的多个沟图形，以及(b)在上述多个沟图形中的一部分沟图形内形成的遮光膜。